簡(jiǎn)要描述:Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測(cè)量的先進(jìn)多模計(jì)量FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測(cè)量應(yīng)用提供了業(yè)界的精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測(cè)量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。
產(chǎn)品目錄
品牌 | Bruker/布魯克 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
---|---|---|---|
膜厚測(cè)量準(zhǔn)確度 | <0.2%nm | 光斑尺寸 | 50 µmmm |
光譜范圍 | 190 nm - 1700 nmnm | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,電子,綜合 |
Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE
——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測(cè)量的先進(jìn)多模計(jì)量
FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了專(zhuān)有的FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測(cè)量應(yīng)用提供了業(yè)界精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測(cè)量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。
作為我們組合計(jì)量產(chǎn)品線(xiàn)(“標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE")的一部分,F(xiàn)ilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE能夠地滿(mǎn)足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測(cè)量要求,并由標(biāo)準(zhǔn)儀器提供。
它在超薄到薄膜(特別是多層堆疊中的薄膜)上提供了異常精確和可重復(fù)的厚度和折射率測(cè)量。此外,與傳統(tǒng)的橢偏儀和反射儀相比,該系統(tǒng)對(duì)這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE多模設(shè)計(jì)的結(jié)果,該多模設(shè)計(jì)將基于高性能旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測(cè)量(MADP)和差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)、擴(kuò)展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學(xué)設(shè)計(jì)相結(jié)合,以及先進(jìn)的Filmtek軟件。
允許同時(shí)確定:
·多層厚度
·折射率[n(λ)]
·消光(吸收)系數(shù)[k(λ)]
·能帶隙
·成分(例如,SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等)
·表面粗糙度
·組分,空隙率
·結(jié)晶度/非晶化(例如多晶硅或GeSbTe薄膜)
·薄膜梯度
系統(tǒng)組件:
標(biāo)準(zhǔn): | 可選: |
旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的橢圓偏振光譜法(295nm-1700nm) 多角度偏振光譜反射(190nm-1700nm) 獨(dú)立測(cè)量薄膜厚度和折射率 多角度差分偏振(MADP)技術(shù)與SCI的差分功率譜密度(DPSD)技術(shù) 非常適合測(cè)量超薄薄膜(天然氧化物的重復(fù)性為0.03?) 用于成像測(cè)量位置的攝像機(jī) 模式識(shí)別 50微米光斑尺寸 高級(jí)材料建模軟件 具有高級(jí)全局優(yōu)化算法的Bruker廣義材料模型 | 各向異性測(cè)量(nx、ny、nz)的廣義橢圓偏振法(4×4矩陣泛化法) 盒式到盒式晶片處理 FOUP和SMIF兼容 模式識(shí)別(Cognex) SECS/GEM |
Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE典型應(yīng)用領(lǐng)域:
幾乎所有厚度從小于1?到約150µm的半透明膜都可以高精度測(cè)量。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
硅半導(dǎo)體
復(fù)合半導(dǎo)體
LED/OLED
具有靈活的硬件和軟件,可以輕松修改以滿(mǎn)足客戶(hù)需求,特別是在研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中。
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